AlGaN基远紫外LED研究进展
顾哲恺1
郭亚楠1
李晋闽2
王军喜1
闫建昌1
1.中国科学院半导体研究所,北京 1000832.中国科学院半导体研究所,北京 100083;山西中科潞安紫外光电科技有限公司,山西长治 046000
摘要：发光波段短于250 nm的AlGaN基远紫外LED在安全消杀、无创光疗、环境监测等领域有着巨大的应用潜力,近年来逐渐成为紫外LED领域的新热点.本文介绍了国内外在AlGaN基远紫外LED发光效率提升方面的新进展,并从外延材料生长、n/p型掺杂效率、量子结构设计、光提取效率和可靠性等角度综合分析了研发挑战和技术解决方案.
关键词：远紫外LED外延掺杂载流子限制光提取可靠性
分类号：TN364+.2(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(AIGaN;62135013)国家自然科学基金(AlGaN;250nm;62234001)
论文发表日期：2025-10-31
在线出版日期：2025-11-27（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：9( 1-9 )
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