集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨
孙可平
赵俊萍
1.上海海运学院,静电与电磁兼容研究室,上海,2001352.上海海运学院,静电与电磁兼容研究室,上海,200135
摘要：在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
关键词：介质击穿机理ESD介质击穿集成电路
分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)
论文发表日期：2003-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 19-20 )
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