晶体固液界面的涡电流冷态模拟监测研究
张韶华
黄为民
1.上海理工大学,动力学院,上海,2000932.上海理工大学,动力学院,上海,200093
摘要：许多单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.本文基于许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大这一特性来监测CdTe晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上设计了两个涡电流检测仪,提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置变化.
关键词：碲化镉涡电流Bridgman
分类号：O78(晶体生长)
资助基金：国家自然科学基金(50276036)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 8-10 )
英文信息